Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 14: III-V Halbleiter I

HL 14.1: Talk

Tuesday, March 12, 2002, 11:00–11:15, H13

Untersuchung der Segregation von In in InAs/AlAs Heterostrukturen — •Marco Schowalter¹, Andreas Rosenauer¹, Dagmar Gerthsen¹, Markus Arzberger², Michael Bichler² und Gerhard Abstreiter² — ¹Universität Karlsruhe(TH), Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Engesser Straße 7 76128 Karlsruhe — ²Universität München(TU), Walter-Schottky-Institut, Am Coulombwall, 85748 Garching

Wir berichten über die Untersuchung der Segregation von In in InAs/AlAs Heterostrukturen. Die InAs Schichten mit verschiedenen Schichtdicken wurden mit Molekularstrahlepitaxie (MBE) auf GaAs(001) Substrat gewachsen und mit Transmissionselektronenmikroskopie untersucht. Profile der In Konzentration in [001] Wachstumsrichtung wurden mit der Auswertemethode CELFA (composition evaluation by lattice fringe analysis) aus hochauflösenden Gitterebenenabbildungen abgeleitet. Die Segregationskonstante R wurde bestimmt, indem die gemessenen Konzentrationsprofile mit dem Modell von Muraki [1] angepasst wurden. Die Segregationskonstante von In in AlAs bei einer Temperatur von 530^∘ C beträgt R=0,77± 0,03.

[1] Muraki et al., APL, 61, 557(1992)