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HL: Halbleiterphysik
HL 15: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigensch. I
HL 15.3: Talk
Tuesday, March 12, 2002, 11:30–11:45, H14
Photolumineszenz einzelner InGaAs-Quantenpunkte bei variierender Anregungsintensität — •K. Hodeck, I. Manke, M. Geller, R. Heitz, A. Schliwa und M. Dähne — Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin
In früheren spektroskopischen Untersuchungen einzelner In0,4Ga0,6As-Quantenpunkte mittels Optischer
Rasternahfeld-Mikroskopie
(SNOM) wurde bei Raumtemperatur mit steigender Anregungsintensität eine
Linienverschiebung des Grundzustandsübergangs
hin zu niedrigeren Energien beobachtet [1].
Neue Messungen mit höherer spektraler Auflösung unter
Tieftemperatur-Bedingungen zeigen, daß diese Rotverschiebungen als
durch neu auftretende Linien verursacht werden, die auf Wechselwirkungen
zwischen den Ladungsträgern im Quantenpunkt zurückgeführt
werden können.
Bei niedrigen Anregungsintensitäten kommt hierfür insbesondere die
Bildung von Trionen und Biexzitonen in Betracht.
Wir finden Bindungenergien um 17 meV für das Biexziton und um 10 meV für
das Trion, im Unterschied zu
den bisher für III-V-Systeme gemessenen Wechselwirkungsstärken von unter
3 meV [2, 3].
Diese unerwarteten Ergebnisse werden im Rahmen gängiger theoretischer
Modelle diskutiert.
[1] J.L. Spithoven et al., J. of Vac. Sci. Technol. B 17, 1632
(1999)
[2] M. Bayer et al., Phys. Rev. B 58, 4740 (1998)
[3] A. Zrenner, J. Chem. Phys. 112, 7790 (2000)