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HL: Halbleiterphysik

HL 19: III-V Halbleiter II

HL 19.2: Talk

Tuesday, March 12, 2002, 14:15–14:30, H13

Punktdefekte in GaAs nach Oberflächenschädigung durch Diamandeinkristallritzen — •Torsten E.M. Staab, Christiane Zamponi, Matz Haaks, Ulrike Männig und Karl Maier — Institut für Strahlen und Kernphysik, Universität Bonn, Nußallee 12-14, D-53115 Bonn, Germany

Positronen weisen Gitterfehlstellen wie Leerstellen oder Versetzungen zerstörungsfrei mit großer Empfindlichkeit nach. Die Bonner Positronen Mikroprobe (BPM) bildet Änderungen der Mikrostruktur nahe lokal geschädigter Bereiche wie Rißspitzen oder Kratzer ab. Durch die Nutzung der Optik eines konventionellen Rasterelektronenmikroskops (REM), um Positronen in den interessierenden Bereich (Nähe eines Rißes) zu implantieren, erhält man gleichzeitig ein REM-Bild in guter Auflösung. Die Schädigung eines durch ein Diamanteinkorn geritzten GaAs-Wafers wurde mit konventionellen REM-Bildern und ortsaufgelösten Positronenmessungen charakterisiert. Trotz Probenpräparation bei Raumtemperatur, finden wir Anzeichen von plastischem Verhalten. Signale charakteristischer Punktdefekte werden simmuliert und mit den experimentellen Daten verglichen.