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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Transporteigenschaften

HL 2.6: Talk

Monday, March 11, 2002, 11:45–12:00, H13

Additionsgesetz für den elektrischen Widerstand von Drähten mit lateraler Quantisierung, Unordnung und Dephasierung — •Ivo Knittel — Fachrichtung Experimentalphysik, Universität des Saarlandes, Postfach 151150, 66041 Saarbrücken

Metallische Drähte mit Durchmessern von der Grössenordnung der Elektronenwellenlänge können mittlerweile auf vielfältige Weise erzeugt werden. Für solche Elektronenwellenleiter ist oft die Lokalisierungstheorie im Modell wechselwirkungsfreier Elektronen die angemessene Beschreibung. Jedoch befindet sich ein System je nach Zahl der Moden und dem Grad an Unordnung und Dephasierung irgendwo zwischen den Grenzfällen des quantisierten Leitwerts, der starken Lokalisierung, der schwachen Lokalisierung und des Ohm’schen Gesetzes. Ausgehend von einem Ohm’schen und einem kohärenten Additionsgesetz für den Widerstand und Landauers Kontaktwiderstand erhält man einfache Ausdrücke für den Widerstand von Quantendrähten, die durch numerische Rechnungen bestätigt werden[1]. [1] I. Knittel, M. Schreiber, phys. stat. sol. (b) 221, 667 (2000)