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Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: II-VI Halbleiter

HL 23.13: Talk

Tuesday, March 12, 2002, 18:15–18:30, H17

Kompensation in p-dotiertem ZnO — •Martin Straßburg1, U. Haboeck1, A. Kaschner1, A. Hoffmann1, Matthias Straßburg1, D. Bimberg1, A. Zeuner2, H.R. Alves2, D.M. Hofmann2, B.K. Meyer2, A. Dadgar3 und A. Krost31Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — 2I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Gießen, Heinrich-Buff-Ring 16, D-35392 Gießen — 3Otto-von-Guericke Universität Magdeburg, FNW-IEP, Abt. Halbleiterepitaxie, Universitätsplatz 2, D-39106 Magdeburg

Wie in vielen anderen Breitbandhalbleitern stellt auch in ZnO die p-Dotierung ein erhebliches Problem dar. Dabei hat sich Stickstoff (N) als vielversprechender Kandidat zur Herstellung niederohmiger Schichten erwiesen. Mittels optischer Spektroskopie und SIMS (Sekundär Ionen Massenspektroskopie) werden die Auswirkungen des N-Einbaus in CVD- und MOCVD- gewachsenen ZnO Schichten analysiert. Nur ein Bruchteil der eingebauten N-Atome (bis zu einigen 1019 cm−3) trägt zur p-Dotierung bei, denn mit zunehmender N-Konzentration steigt auch die Menge des eingebauten Wasserstoffs. Es wird vermutet, dass dieser, ähnlich wie in GaN:Mg, zu kompensierenden Komplexen führt. Diese Kompensation hat einen eindeutigen Einfluss auf die exzitonische und Donator-Akzeptor-Paarband - Lumineszenz. Temperatur- und anregungsdichteabhängige Photolumineszenzuntersuchungen ermöglichen die Identifikation entsprechender Donatoren- und Akzeptorenzustände und geben Aufschluss über die Mechanismen, die in ZnO:N zur Kompensation beitragen.

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