Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 25: Symposium: II-VI Halbleiter

HL 25.3: Fachvortrag

Wednesday, March 13, 2002, 15:30–16:00, H15

Wachstum, Charakterisierung und Anwendung von ZnCdSe-Quantenstrukturen — •M. Strassburg — Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstraße 36, 10623 Berlin

ZnCdSe-Quantenpunkt- (QP) und -filmstrukturen (QF) besitzen ein großes Anwendungspotential für Lichtemitter im grünen Spektralbereich.
Optische Untersuchungen von QP-Strukturen zeigen, dass vorwiegend exzitonische Prozesse (Exzitonen, Bi- und Multiexzitonen) zur Lumineszenz beitragen. Dabei besitzt die Dichte der QP einen starken Einfluss auf die Lokalisierung und die Rekombinationsdynamik von Exzitonen. In Laserstrukturen tritt aufgrund der Lokalisierung in QP eine exzitonische Wellenführung auf, die einen ausserordentlich hohen Gewinn ermöglicht.
Die Charakteristika von QF-Laserdioden wurden in jüngster Zeit deutlich verbessert. Über die Kombination einer lateralen Index- und Stromführung sowie Verwendung einer neuartigen Kontaktstruktur konnte die cw-Lebensdauer um mehr als das 20-fache erhöht werden. Degradationsuntersuchungen im gepulsten Hochleistungsbetrieb belegen die erhöhte Stabilität der Strukturen und weisen die Richtung für künftige Weiterentwicklungen.