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HL: Halbleiterphysik

HL 29: Spinabh
ängiger Transport

HL 29.6: Vortrag

Mittwoch, 13. März 2002, 16:45–17:00, H13

Strukturelle und elektrische Charakterisierung der Grenzfläche zwischen InAs und (Cd,Mn)Se — •P. Grabs, G. Richter, C. Gould, G. Schmidt und L.W. Molenkamp — Physikalisches Institut (EP3), Universität Würzburg, 97084 Würzburg

Das Materialsystem (Cd,Mn)Se auf InAs stellt einen vielversprechenden Kandidaten für Spininjektionsexperimente im elektrischen Transport dar. Hierdurch sollte es möglich sein, ein 2dimensionales Elektronengas (2DEG) direkt mit dem semimagnetischen Halbleiter (Cd,Mn)Se zu kontaktieren. Die strukturelle Qualität des aufgewachsenen (Cd,Mn)Se hängt sehr stark vom Wachstumsstart auf der InAs-Oberfläche ab. Unterschiedliche Methoden für die Präparation des Interfaces können auch die elektrischen Eigenschaften beeinflussen.

In einer Riber 2300 MBE-Anlage wurden Proben mit unterschiedlichen Wachstumsstarts hergestellt. Ihre strukturellen Eigenschaften wurden mittels XRD und ihre elektrischen Eigenschaften im Transport mit und ohne externem Magnetfeld untersucht. Die Ergebnisse dieser Experimente werden vorgestellt und diskutiert.

Diese Arbeit wurde unterstützt durch das DARPA SPINS Programm und die DFG (SFB 410).