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HL: Halbleiterphysik

HL 33: SiC

HL 33.9: Vortrag

Donnerstag, 14. März 2002, 12:30–12:45, H15

Identifikation von intrinsischen Defektzentren in SiC — •M. Heid, M. Bockstedte und O. Pankratov — Lst. f. Theor. Festkörperphysik, Universiät Erlangen-Nürnberg, Staudtstr. 7B2, D-91058 Erlangen

Aus Spinresonanzexperimenten an SiC-Polytypen (z.B. [1-3]) sind zahlreiche Defektzentren bekannt. Die mikroskopische Identifizierung der Zentren ist häufig jedoch schwierig. So stehen die jeweilige Zuordnungen der Spinresonanzzentren T5 in 3C-SiC [1] und EI5 in 4H-SiC [2] zu Kohlenstoffleerstellen im Konflikt zueinander. Im Rahmen unserer theoretischen Untersuchungen von Defekten in SiC haben wir basierend auf einer ab initio Pseudopotentialmethode ein Verfahren zur Berechnung des Hyperfeintensors entwickelt. Tests an Atomen zeigen das große Potential dieses Ansatzes auf. Insbesondere bestätigen unsere Ergebnisse für Silizium-Leerstellen in 3C- und 4H-SiC die Identifikation von Spinresonanzzentren als negative Leerstelle [1,2]. Unsere Ergebnisse zeigen, dass das EI5-Zentrum in 4H-SiC mit einer positiven Kohlenstoff-Leerstelle am kubischen Gitterplatz kompatible ist und das T5-Zenrum einen anderen Ursprung haben muss. Wir diskutieren mögliche Modelle insbesondere den Vorschlag eines Leerstellen-Wasserstoff-Komplexes [4].

[1] H. Itoh et al. , phys. stat. sol. b 162, 173 (1997).

[2] T. Wimbauer et al. , Phys. Rev. B 56, 7384 (1997).

[3] N. T. Son et al. , Phys. Rev. B 63, 201201 (2001).

[4] B. Aradi et al., Phys. Rev. B 63, 245202 (2001).