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Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.1: Poster

Thursday, March 14, 2002, 16:30–19:00, Poster A

Bestimmung der Energieniveaus von Ni-korrelierten Defekten in synthetischem Diamant — •R.N. Pereira1,2, W. Gehlhoff1, N.A. Sobolev2, A.J. Neves2 und D. Bimberg11Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — 2Department of Physics, University of Aveiro, 3810-193 Aveiro, Portugal

Die Verwendung von Ni-Katalysatoren bei der Hochdrucksynthese von Diamant führt in Verbindung mit der Hauptverunreinigung N zu verschiedenen Ni-N Komplexen. Neben bekannten Ni-korrelierten Defekten wurden 7 neue als AB1-AB7 bezeichnete Zentren durch EPR nachgewiesen [1]. Für vier Zentren wurde deren energetische Lage im Bandgap von Diamant mittels Photo-EPR bestimmt. Indirekte photoinduzierte Umladungen des N-Donators und der Nachweis von zwei komplementären Photoionisationsübergängen unter Einschluss von substitutionellem Ni zeigen, dass der Nis−/0 Akzeptorzustand 2,49 eV unterhalb des Leitungsbandes (CB) liegt. Aus der photoinduzierten Veränderung in Abhängigkeit von der Anregungswellenlänge der orthorhombischen Zentren AB3 und AB4 mit S=1/2 konnten die korrespondierenden Umladungszustände bei E=ECB−2,3eV bzw. E=ECB−2,06eV bestimmt werden. Das Niveau des AB5 Zentrums mit S=1 liegt bei E=ECB−1,88eV. Die Natur der für die beobachteten photoinduzierten Umladungen der vier Zentren verantwortlichen Prozesse werden diskutiert.
[1] R.N. Pereira et al., Diamond and Related Materials, (2001), in press

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