Regensburg 2002 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 38: Poster 2
HL 38.29: Poster
Thursday, March 14, 2002, 16:30–19:00, Poster A
Optische und strukturelle Eigenschaften von InGaN/GaN Multiquantumwell-Leuchtdioden auf Silizium-Substrat — •Karsten Fehse, Margarethe Poschenrieder, Fabian Schulze, Jürgen Bläsing, Armin Dadgar, Anette Diez, Jürgen Christen und Alois Krost — Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg
LED-Strukturen mit 5fach-InGaN/GaN-Quantumwell wurden mittels MOCVD auf Si-Substrat hergestellt. Um blaue bis grün-gelbe Emission der LEDs zu erzielen, wurden die Quantumwells bei unterschiedlicher Abscheidungsdauer (tQW) und -temperatur (TQW) gewachsen. Die spektrale Charakteristik der LEDs wurde mittels Photo- und Elektrolumineszenzmessungen, der In-Gehalt und die Dicke der Quantumwells mittels HR-XRD-Analyse und die Oberflächenstruktur mittels AFM untersucht. Aus I-V-Messungen wurde u.a. der Serienwiderstand bestimmt. Der Trend der Emissionswellenlängen und -intensität der Leuchtdioden als Funktion von tQW und TQW wird anhand der XRD-Daten diskutiert.