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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.35: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

Schnelle, spektrale Ellipsometrie an Halbleiter-Heterostrukturen — •A. Wirsig, K. Haberland, T. Schmidtling, T. Zettler und W. Richter — Technische Universität Berlin, Inst. f. Festkörperphysik, PN6-1, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Zur Untersuchung von Wachstumsprozessen in der Metallorganischen Gasphasenepitaxie mittels Ellipsometrie ist es notwendig wesentlich höhere Zeitauflösungen zu erreichen, als es mit Scanning-Ellipsometern möglich ist. Um die Zeitauflösung zu erhöhen, wurde ein schnelles, spektrales in-situ-Ellipsometer auf Vielkanalbasis aufgebaut, das es im Prinzip erlaubt, Ellipsometrie-Spektren im Abstand von 100ms zu messen. Mit diesem schnellen Ellipsometer konnten Messungen während des epitaktischen Wachstums unter anderem an GaN auf Saphir durchgeführt werden. In den ersten Messungen unter Wachstumsbedingungen wurden Messzeiten von zehn bis zwanzig Sekunden pro Spektrum realisiert. Mit Hilfe der gewonnenen Daten konnten zum Beispiel Wachstumsraten bestimmt und die dielektrischen Funktionen der untersuchten Materialien während der Ausbildung von Schichtstrukturen im Bereich von ca. 1.5eV bis 5.5eV gemessen werden.