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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.38: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

Optische in-situ Kontrolle des MOCVD-Wachstums von Antimon-haltigen III/V-Halbleiterschichten — •Kristof Möller, Zadig Kollonitsch, Thomas Hannappel und Frank Willig — Hahn-Meitner-Institut, SE-4, Glienicker Str. 100, D-14109 Berlin, Germany

Epitaktische Antimon-haltige III/V-Halbleiterschichten wurden in einer AIX-200-MOCVD-Anlage mit dem Precursor Triethylantimon präpariert. Das Wachstum von (100)-Oberflächen wurde mit Hilfe der Reflexion Anisotropie Spektroskopie (RAS) in-situ untersucht und kontrolliert. Die in-situ Signale wurden zur Ermittlung verbesserter Wachstumsparameter wie Temperatur, Wachstumsrate, Sb/III-Verhältnis und Misorientierung der Substrate genutzt. Bei ungünstigen Parametern (u.a. hohe Flußraten oder unvorteilhaftes Sb/III-Verhältnis) zeigen die Oberflächen beim epitaktischen Wachstum die Bildung von dreidimensionalen Strukturen mit gleichzeitig stark ansteigenden RAS-Intensitäten um mehr als eine Größenordung. Dieser Effekt wurde zur Ermittlung besserer Wachstumsparameter genutzt. An den verbessert präparierten Filmen konnten neue RA-Spektren gemessen und mit oberflächensensitiven Messungen im UHV in Bezug gesetzt werden. Dadurch konnten verschieden terminierte Oberflächen bereits im MOCVD-Reaktor identifiziert werden.