Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.5: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

Einfluss des Niedrigtemperaturwachstums auf die Morphologie virtueller SiGe Substrate — •Christian Hofer1, Gregor Hlawacek1, Christian Teichert1, Klara Lyutovich2, Matthias Bauer2 und Erich Kasper21Institut für Physik, Montanuniversität Leoben, 8700 Leoben, Austria — 2Institut für Halbleitertechnik, Universität Stuttgart, 70569 Stuttgart, Germany

In virtuellen SiGe Substraten für Hochfrequenzmikroelektronikanwendungen können Schichtspannungen durch Injektion von Punktdefekten abgebaut werden. Hier ermöglicht dies ein MBE-Wachstumsschritt bei niedrigen Temperaturen. Mittels Rasterkraftmikroskopie wurde der Einfluss der Wachstumstemperatur, sowie von zusätzlichem Ionenbeschuss bzw. Sb-Vorbedampfung auf die resultierende Schichtmorphologie untersucht.

Dabei wurde gefunden, dass die Temperatur, bei der das Versetzungsnetzwerk erscheint, stark von den Wachstumsbedingungen abhängt. Bei sehr hoher Versetzungsdichte bildet sich spontan ein schachbrettartiges Muster von {105} facettierten Pyramiden und Gruben mit einer „Gitterkonstante“ von ungefähr 200 nm.

100% | Bildschirmansicht | English Version | Kontakt/Impressum/Datenschutz
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 2002 > Regensburg