Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.74: Poster

Thursday, March 14, 2002, 16:30–19:00, Poster A

Laserinduzierte Partikelentfernung von Silizium-Wafern — •Mario Mosbacher, Christof Bartels, Micha Bertsch, Oliver Dubbers, Johannes Graf, Florian Lang, Michael Olapinski, Hans-Joachim Münzer und Paul Leiderer — Zentrum für Moderne Optik, Fach M676, Universität Konstanz, 78457 Konstanz

Die Entfernung submikroskopischer Partikel von Oberflächen wie Silizium ist eine der Voraussetzungen zur weiteren Miniaturisierung in der Nanotechnologie. Traditionelle Methoden werden immer weiter verbessert, jedoch zeichnet sich ab, dass sie für die Entfernung von Partikeln mit Durchmessern unter 100 nm durch neue Techniken ersetzt oder ergänzt werden müssen.

Eine neue Reinigungsmethode ist die laserinduzierte Partikelentfernung (Lasercleaning). Hier wird die Oberfläche mit einem Laserpuls bestrahlt (Dry Lasercleaning), bisweilen wird vorher noch ein zusätzlicher dünner Wasserfilm aufgebracht (Steam Lasercleaning). Die zugrundeliegenden Reinigungsmechanismen und die Einzelheiten ihres Zusammenwirkens sind noch nicht vollständig bekannt. Wir berichten über neue Untersuchungen in diesem Zusammenhang sowie über Ansätze für neue Lasercleaning-Reinigungsstrategien.