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HL: Halbleiterphysik

HL 5: Quantenpunkte und -dr
ähte: Transporteigensch. I

HL 5.7: Talk

Monday, March 11, 2002, 12:00–12:15, H17

Modellierung eines bistabilen Quantenpunktbauelements — •A. Rack, R. Wetzler, A. Wacker und E. Schöll — Institut für Theoretische Physik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Wir untersuchen das bistabile Verhalten von Feldeffekttransistoren mit eingebauten InAs-Quantenpunkten [1] mittels numerischer Rechnungen. In diesen neuartigen Bauelementen steuert der Besetzungsgrad der Quantenpunkt-Zustände die Leitfähigkeit eines benachbarten Elektronenkanals. Die Quantenpunkte werden dabei vereinfacht als Gauß-verbreiterte Zustände [2] modelliert, die entsprechend dem selbstkonsistent berechneten Potential besetzt werden. In der Leitfähigkeits-Gatespannungs-Kennlinie weist die Struktur zwei koexistierende, stabile Zweige auf.

[1] G. Yusa, H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 70, 345 (1997)

[2] R. Wetzler, A. Wacker, E. Schöll, C.M.A. Kapteyn, R. Heitz and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 77, 1671 (2000)