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Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Störstellen / Amorphe Halbleiter

HL 7.4: Talk

Monday, March 11, 2002, 16:15–16:30, H13

Nachweis von Ge-Leerstellen in elektronenbestrahltem Zinkgermaniumdiphosphid (ZnGeP2)* — •Wolfgang Gehlhoff, Dmitri Azamat und Axel Hoffmann — Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin

Zinkgermaniumdiphosphid (ZnGeP2) ist ein vielversprechendes Material für Anwendungen in der nicht-linearen Optik. Die hohe optische Transparenz dieses Materials wird jedoch durch eine breite Absorptionsbande im Bereich von 625 nm bis 2500 nm beeinträchtigt, die hauptsächlich durch Zinkleerstellen verursacht wird. Eine Reduktion dieser für Anwendungen störenden Absorption kann durch die Bestrahlung der Kristalle mit hochenergetischen Elektronen (1-2MeV) erreicht werden, wodurch eine Verschiebung des Fermi-Niveaus in Richtung Leitungsband erfolgt und die Zinkleerstellen in den nichtabsorbierenden Ladungszustand VZn umgeladen werden [1]. Mittels EPR-Untersuchungen konnte gezeigt werden, dass eine derartige Elektronenbestrahlung zur Entstehung von paramagnetischen Defekten in hoher Konzentration führt. Das Spektrum des Hauptdefektes kann durch einen Spin S=1/2 und einem g-Wert g=2,011 beschrieben werden. Aufgrund der charakteristischen Phosphor-Hyperfeinwechselwirkung konnte dieser Defekt als Ge-Leerstelle identifiziert werden. Seine energetische Lage im Bandgap von ZnGeP2 (2,1eV) wurde mittels Photo-EPR bestimmt.
*Gefördert durch BMBF (05KK 1KTA/4).
[1] W. Gehlhoff et al., ICDS-21, Physica B (2001), in press

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