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MA: Magnetismus

MA 6: Spinabhängige Transportphänomene I

MA 6.8: Talk

Monday, March 11, 2002, 17:00–17:15, H22

Dotierung von inneren Grenzflächen in dünnen (LaSrMnO)1−x:MgOx Filmen — •Sigrun A. Köster1, Alexandr Belenchuk2, Oleg Shapoval2, Oleg Lebedev3, Gustaaf van Tendeloo3, Vasily Moshnyaga1 und Konrad Samwer11I. Physikalisches Institut, Universität Göttingen, Bunsenstrasse 9, D-37073 Göttingen, Germany — 2Institute of Applied Physics, Academiei str. 5, MD-2028 Chisinau, Moldova — 3EMAT, University of Antwerpen (RUCA), Groenenborgerlaan 171, B-2020 Antwerpen, Belgium

Es wurden dünne Manganatfilme (La0.7Sr0.3MnO3) mit verschiedenen Zusätzen von MgO mittels einer Metallorganischen Aerosol-Depositionstechnik auf Al2O3–Substraten hergestellt. Die entstandenen Filme sind ploykristallin und haben eine (111)–Vorzugsrichtung. Der reine Film ohne MgO zeigt intrinsisches CMR–Verhalten, während man bei den "dotierten" Filmen einen deutlichen Korngrenzenmagnetowiderstand beobachten kann. Dieser bei kleinen Feldern auftretende Tunnelmagnetowiderstand wird stark durch die MgO–Konzentration beeinflusst.

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