Regensburg 2002 – scientific programme
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TT: Tiefe Temperaturen
TT 15: Metall-Isolator-Überg
änge, Phasenüberg
änge in Quantensystemen I
TT 15.6: Talk
Wednesday, March 13, 2002, 16:00–16:15, H20
Frequenzabhängige Leitfähigkeit des Elektronenglases Si:P — •Marc Scheffler1, Boris Gorshunov1, Martin Dressel1, Erik B. Helgren2 und George Grüner2 — 11. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, 70550 Stuttgart — 2University of California Los Angeles, California 90095, USA
Hochdotiertes, aber noch isolierendes Silizium in der Nähe des Metall-Isolator-Überganges ist ein Modellsystem für elektronische Glaszustände. Wir haben die Frequenzabhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit von Si:P-Proben mit Konzentrationen zwischen 0.34 und 3.3·1018 cm−3 bei Frequenzen bis ca. 1 THz bei 4He-Temperaturen gemessen. Diese Messungen werden mit der theoretischen Vorhersage für die frequenzabhängige Leitfähigkeit eines Coulomb-Glases von Efros und Shklovskii verglichen und Abweichungen diskutiert.