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DS: Dünne Schichten

DS 21: Dünne Schichten für die Photovoltaik III

DS 21.1: Talk

Thursday, March 11, 2004, 15:45–16:00, HS 32

Cd-freie Pufferschichten für die Anwendung in CuInS₂Dünnschichtsolarzellen — •Olga Papathanasiou¹, Susanne Siebentritt¹, Wolfgang Bohne¹, Erik Strub¹, Jorg Röhrich¹, Wolfram Calvet¹, Christian Pettenkofer¹, Christian Kristukat² und Martha Lux-Steiner¹ — ¹Hahn-Meitner-Institut Berlin — ²Technische Universität Berlin

Die höchsten Wirkungsgrade bei CuInS₂-Solarzellen werden mit einer wenige Nanometer dicken Pufferschicht zwischen Absorber und ZnO-Fensterschicht erreicht. Bislang wird hierfür eine nasschemisch abgeschiedene CdS-Schicht verwendet. Mittels MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) abgeschiedenes ZnSe bietet aufgrund seiner größeren Bandlücke (2.7 eV) und seiner geringeren Toxizität eine konkurrenzfähige Alternative. Hinzu kommt, dass der MOCVD-Prozess ein trockenes Abscheideverfahren ist, und die Mo"glichkeit einer industriellen in-line Integration bietet. Mit photounterstützter MOCVD sind Abscheidetemperaturen bis hinunter zu 250^∘C bis 200^∘C möglich. Mit diesen Temperaturen sind Wirkungsgrade bis zu 8% erzielt worden. An epitaktischen Si/CuInS₂/ZnSe Strukturen wurden HI-ERDA (Heavy Ion Elastic Recoil Detektion Analysis) und IRS (Infra Red Spectroscopy) Messungen durchgeführt, um ein besseres physikalisches Verständnis der CuInS₂/ZnSe Grenzschicht zu erhalten.