Regensburg 2004 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I
HL 12.89: Poster
Monday, March 8, 2004, 16:30–19:00, Poster A
a-Si/SiOx Bragg-Reflektoren auf mikro-strukturierten Halbleitern — •Rüdiger Schmidt-Grund1, Thomas Nobis1, Bernd Rheinländer1, Volker Gottschalch2, Helmut Herrnberger2 und Marius Grundmann1 — 1Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig — 2Universität Leipzig, Fakultät für Chemie und Mineralogie, Linnéstr. 3, 04103 Leipzig
Laterales Bragg-Confinement von Mikroresonator-Lichtemittern erhöht das Verhältnis der Zahl der axial resonanten Moden zur Zahl der spontan emittierten lateralen Moden. Hoch reflektierende Si/SiOx Bragg-Reflektoren (BR) eignen sich gut zur Verbesserung des optischen Confinements in mikro-strukturierten Resonatoren.
Sowohl Metall-, a-Si- und SiOx-Einzelschichten als auch a-Si/SiOx BR wurden mittels PECVD für den Wellenlängenbereich von (500 - 830) nm mit kleiner Paarzahl N (typisch N = 4,5) auf Glas-, InP- und GaAs-Substraten mit verschiedenen 3-dimensionalen und gekrümmten Strukturen abgeschieden. Die optischen Eigenschaften wurden mittels der neuen Methode der detektions-fokalen räumlich-aufgelösten spektroskopischen Ellipsometrie und der Methode der konfokalen räumlich-aufgelösten spektroskopischen Ellipsometrie untersucht. Aus der Modell-Analyse der ellipsometrisch gemessenen Spektren der Mueller-Matrix konnten das Reflexionsvermögen (R) und die Schichtdicken berechnet und Rückschlüsse auf die Probengeometrie gezogen werden. Das aus der ellipsometrischen Analyse berechnete R wurde mit dem R, welches mittels konfokaler Mikro-Reflexion bestimmt wurde, verglichen.