DPG Phi
Verhandlungen
Verhandlungen
DPG

Regensburg 2004 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 17: II-VI Halbleiter I

HL 17.10: Talk

Tuesday, March 9, 2004, 12:30–12:45, H14

Stickstoffdotierung in ZnO — •J. Sann1, B. Farangis1, B.K. Meyer1 und G. Pensl21I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Gießen, Heinrich-Buff-Ring 16, 35392 Gießen — 2Institut für Angewandte Physik, Universität Erlangen

Unter den möglichen p- Dotanden in ZnO wird Stickstoff auf Sauerstoffplatz favorisiert. Wir berichten über den Einbau von Stickstoff über Implantation, durch Dotierung während des Wachstums in CVD-Epitaxieschichten sowie über Diffusionsexperimente aus der Gasphase. Die Photolumineszenzuntersuchungen zeigen unabhängig von der Dotiermethode das Auftreten eines Donator-Akzeptor-Paar Übergangs bei 3.23 eV.

100% | Mobile Layout | Deutsche Version | Contact/Imprint/Privacy
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 2004 > Regensburg