Regensburg 2004 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 28: Postersitzung (Elektronische Struktur, Grenzfläche fest-flüssig, Halbleiteroberflächen und -grenzflächen, Magnetismus und Symposium SYXM, Methodisches, Nanostrukturen, Oberflächenreaktionen, Teilchen und Cluster, Zeitaufgelöste Spektroskopie)
O 28.34: Poster
Wednesday, March 10, 2004, 16:00–19:00, Bereich C
TOF-PEEM für zeitaufgelöste Mikrospektroskopie von Oberflächen basierend auf einer fs-Laser EUV-Lichtquelle — •G. H. Fecher1,2, A. Oelsner1, G. Schönhense1, J. Kutzner2, G. Tsimilis2 und H. Zacharias2 — 1Johannes Gutenberg - Universität, 55099 Mainz — 2Westfälische Wilhelms - Universität, 48149 Münster
Die Kombination eines Photoemissions Elektronen Mikroskops (PEEM)
mit einer Femtosekunden Laser gepumpten EUV Lichtquelle wird
präsentiert. Das PEEM ist für simultane Bildaufnahme und
Flugzeitanalyse (TOF) mit einem 3D (x,y,t) Detektor
ausgestattet. Dies erlaubt neuartige Anwendungen in der
Mikrospektroskopie von Oberflächen.
Die Lichtpulse im extremen
ultraviolett Bereich werden in Edelgasen durch ein 30fs
Ti:Saphir Lasersystem generiert. Intensive IR Pulse erzeugen im
Konversionsgas hohe Harmonische bis 120eV. Ein
Toroidgitter wird zur Auswahl der Harmonischen eingesetzt. Al-Filter und
Au-Spiegel beschränkten den
Energiebereich auf 15-72eV. Die herkömmliche Bildeinheit de PEEM wurde
durch einen 3D-Delayline
Detektor ersetzt. Dieser registriert die Elektronen
in 2 räumlichen und einer zeitlichen Koordinate. Die
rückwärtige Mikroskopsäule wird als Flugzeitstrecke
betrieben. Die Zeitauflösung des Detektors beträgt 125ps.
Erste Ergebisse zeigen, daß der Bildkontrast empfindlich von
der ausgewählten Energie der Elektronen abhängt. Die
derzeitige Begrenzung der räumlichen (160nm) und zeitlichen
Auflösung der Methode ist durch die Repetitionsrate
(1kHz) des anregenden Lasers bedingt.