Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 5: Optische, metallische und magnetische Schichten

DS 5.1: Vortrag

Freitag, 4. März 2005, 10:45–11:00, TU HS110

Epitaktisches Wachstum von Bi₃Fe₅O₁₂–Schichten auf Gd₃Ga₅O₁₂ durch Gepulste Laserablation — •Stephan Leitenmeier, Andreas Heinrich und Bernd Stritzker — Uni Augsburg, EP IV, 86135 Augsburg

Magnetooptische (MO) Materialien finden weitverbreitet Anwendung als optische Schalter, optische Isolatoren oder Magnetfeldsensoren. Es ist von besonderem Interesse solche MO-Materialien als Funktionsstrukturen beispielsweise direkt auf Silizium zu integrieren. Bi₃Fe₅O₁₂ (BIG) zeigt bei Raumtemperatur einen starken MO–Effekt im sichtbaren Wellenlängenbereich und ist somit für solche Anwendungen besonders geeignet. Als Vorstufe zur Integration von BIG–Schichten auf Si, wurden mittels Gepulster Laserablation (PLD) zunächst Schichten von BIG und Lu_2,05Bi_0,95Fe_3,8Ga_1,2O₁₂ (LBIG) auf Gd₃Ga₅O₁₂ (GGG) Substraten abgeschieden. Zur Bestimmung geeigneter Wachstumsbedingungen wurde bei der Schichtherstellung die Substrattemperatur variiert. Die Untersuchung der Stöchiometrie der erzeugten Schichten erfolgte mit RBS und EDX. Zur Strukturanalyse wurden XRD, HRXRD und TEM eingesetzt. Die bisher gewonnenen Ergebnisse deuten auf ein epitaktisches Schichtwachstum von BIG bzw. LBIG auf GGG in einem engen Temperaturbereich hin, wobei die optimale Wachstumstemperatur für BIG geringer ist als für LBIG. TEM Aufnahmen belegen ebenfalls ein epitaktisches Schichtwachstum.

Im Vortrag wird eine Übersicht über die erzielten Ergebnisse gegeben und einzelne Resultate genauer vorgestellt.

Gefördert durch die DFG (SPP 1157)