DPG Phi
Verhandlungen
Verhandlungen
DPG

Berlin 2005 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

O: Oberflächenphysik

O 39: Nanostrukturen IV

O 39.7: Talk

Tuesday, March 8, 2005, 12:15–12:30, TU EB420

Stöchiometriebestimmung von III-V Halbleiternanostrukturen mittels Querschnittsrastertunnelmikroskopie — •Holger Eisele1, Rainer Timm1, Andrea Lenz1, Oliver Flebbe1, Ernst Lenz2, Ferdinand Streicher1 und Mario Dähne11Inst. F. Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — 2Inst. f. Technische Informatik u. Mikroelektronik, Technische Universität Berlin, Einsteinufer 17, D-10587 Berlin

Verspannte III-V Halbleiternanostrukturen bauen nach dem Spalten einer Querschnittsfläche ihre Verspannungsenergie über eine Relaxation dieser Spaltfläche ab. Diese Relaxation kann sowohl lateral in der Oberfläche als auch vertikal zu ihr mit dem Rastertunnelmikroskop gemessen werden.

Über die laterale Ralaxation erhält man Informationen, die mit der durchmischungkonzentrattion der Nanostrukturen in der Querschnittsfläche korreliert sind. Aus der vertikalen Verspannungrelaxation erhält man weiterhin Aussagen über die Konzentration und Form der weiter unterhalb der Spaltfläche liegenden berteiche der Nanostrukturen. Mit hilfe numerische Verfahren kann sowohl die laterale als auch vertikale Verspannungsrelaxation zur Konzentrationsbestimmung von durchmischten III-V Halbleiternanostrukturen genutzt werde.

100% | Mobile Layout | Deutsche Version | Contact/Imprint/Privacy
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 2005 > Berlin