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Berlin 2005 – scientific programme

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T: Teilchenphysik

T 303: Halbleiterdetektoren II

T 303.10: Talk

Friday, March 4, 2005, 18:45–19:00, TU H112

Schädigungseffekte in dünnen hochohmigen FZ Siliziumdetektoren durch hochenergetische Protonen — •Eckhart Fretwurst1, L. Andricek2, F. Hönniger1, G. Kramberger3, G. Lindström1, G. Lutz2, M. Reiche4, R.H. Richter2 und A. Schramm11Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg — 2MPI Halbleiterlabor, München — 3Jozef Stefan Institute, Universität Ljubljana, Slovenien — 4MPI für Mikrostrukturphysik, Halle

Hochohmige FZ Siliziumdetektoren mit einer Dicke von 50 µm und einem spezifischen Widerstand von etwa 4 kΩ·cm wurden mit 24 GeV/c Protonen bis zu Fluenzen von 1016 cm−2 bestrahlt. Die Herstellung der dünnen FZ-Substrate erfolgte mittels der “wafer bonding” Technologie, die vom MPI für Mikrostrukturphysik in Halle entwickelt wurde. Die Prozessierung der Detektorstrukturen wurde im MPI-Halbleiterlabor durchgeführt. Untersuchungen und Analysen der strahlungsinduzierten Änderungen der effektiven Dotierungskonzentration, des Sperrstroms und der Ladungssammlungseffizienz sowie Ergebnisse von Ausheilungsexperimenten bei einer Temperatur von 80C werden vorgestellt. Die Resultate werden außerdem mit Ergebnissen von Detektoren verglichen, die auf 50 µm dicken epitaktischen Siliziumschichten mit einem spezifischen Widerstand von 50 Ω·cm hergestellt wurden.

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