Regensburg 2007 – wissenschaftliches Programm
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HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 13: Poster 1
HL 13.72: Poster
Montag, 26. März 2007, 15:00–17:30, Poster A
Laterale, zweidimensionale npn-Übergänge: Eine neue Methode für Positionsdetektoren — •C. Werner, D. Reuter und A.D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum
Wir haben auf Basis von Al0,33Ga0,67As/In0,11Ga0,89As/GaAs-Heterostrukturen laterale, zweidimensionale npn-Übergänge erzeugt, indem wir eine in der MBE gewachsene p-modulationsdotierte Heterostruktur durch lokale Implantation von Siliziumionen überkompensiert und so lokal ein zweidimensionales Elektronengas erzeugt haben.
Verbindet man die beiden n-dotierten Bereiche mit einem Widerstand und strahlt mit einem fokussierten Laserstrahl auf den p-dotierten Bereich, so ist der Spannungsabfall über dem Widerstand proportional zu der Position des Laserstrahls senkrecht zu den beiden p-n-Übergängen, wobei die Empfindlichkeit 1 mV/µm beträgt. Damit ist es möglich, die Positionsveränderungen des Laserstrahls im Nanometerbereich zu bestimmen.
Zusätzlich ist es uns durch eine andere Implantationsgeometrie gelungen, die Position auch in zwei Raumrichtungen bestimmen zu können, wobei sich die Messungen der beiden Raumrichtungen nicht beeinflussen.