Darmstadt 2008 – scientific programme

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K: Fachverband Kurzzeitphysik

K 6: Röntgenlaser & EUV - Quellen und deren Anwendungen

K 6.5: Talk

Tuesday, March 11, 2008, 17:30–17:45, 2D

Kompaktes EUV-Reflektometer unter Verwendung einer Laserplasmaquelle — •Stefan Döring, Frank Barkusky, Armin Bayer, Jens-Oliver Dette, Christian Peth und Klaus Mann — Laser-Laboratorium-Göttingen e.V., Göttingen, Germany

Der hohe Wechselwirkungsquerschnitt von EUV/XUV-Strahlung im Wellenlängenbereich 2..20nm und die damit verbundene, geringe Eindringtiefe machen sie zu einem idealen Werkzeug für die Charakterisierung von Oberflächen und dünnen Schichten. Die Dimension der verwendeten Wellenlänge ermöglicht darüberhinaus die Analyse von Nanostrukturen derselben Größenordnung wie z.B. photonische Kristalle durch Beobachtung von Beugungserscheinungen.
Am Laser-Laboratorium Göttingen wird derzeit ein θ-2θ-Reflektometer für den EUV-Bereich entwickelt, das zur Strahlungserzeugung eine lasergestütze Plasmaquelle verwendet. Das Laborgerät soll im Bereich der Metrologie zur in-band Charakterisierung von Oberflächen und oberflächennahen Strukturen dienen. Durch die Kombination verschiedener Messmethoden wie Reflektometrie, Nahkantenabsorption (NEXAFS), Streulichtmessung und Diffraktometrie soll eine große Bandbreite an physikalischen, chemischen und strukturellen Parametern experimentell zugänglich gemacht und die Probe damit möglichst umfassend charakterisiert werden.
In diesem Beitrag sollen das experimentelle Konzept, die möglichen Messmethoden, numerische Simulationen sowie erste Messungen vorgestellt werden.