DPG Phi
Verhandlungen
Verhandlungen
DPG

Dresden 2009 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 27: GaN: preparation and characterization I

HL 27.12: Talk

Wednesday, March 25, 2009, 12:45–13:00, BEY 81

Mikroskopische Lumineszenzuntersuchungen an grün-emittierenden InGaN/GaN MQWs auf semi-polaren {1101} Facetten — •Sebastian Metzner1, Frank Bertram1, Jürgen Christen1, Thomas Wunderer2 und Ferdinand Scholz21Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg — 2Institut für Optoelektronik, Universität Ulm

Wir präsentieren hochortsaufgelöste Kathodolumineszenzmikroskopie (KL) von, für den grünen Spektralbereich optimierten, dreifach InGaN-MQWs, die selektiv auf {1101} GaN-Facetten gewachsen wurden, welche mit MOVPE durch streifenförmige SiO2-Maskierungen hergestellt wurden. Im auf Saphir gewachsenen GaN-Puffer dominiert die scharfe (FWHM < 5 meV) (D0,X) Lumineszenzlinie bei 355,8 nm, was einer biaxialen kompressiven Verspannung von 0,5 GPa entspricht. Die GaN-Prismen zeigen im Querschnitt einen schwachen, scharfen (D0,X)-Peak, der im lateral überwachsenen QW-Bereich stark rotverschoben (357,7 nm) und verbreitert ist. Die ortsintegrale KL des InGaN-MQW liegt im grünen Spektralbereich bei ca. 510 nm. Mikroskopisch ist ein QW-Lumineszenzverlauf zu identifizieren, der beginnend mit langwelliger KL (517 nm) in Maskennähe über eine kurzwellige KL (< 505 nm) auf 1/3 Facettenhöhe in Richtung Dachfirst zu längeren Wellenlängen (bis 512 nm) schiebt. Unmittelbar am First geht eine intensive, kurzwellige InGaN-Emission mit einer perfekten Morphologie einher. Im Gegensatz dazu korreliert eine schwache InGaN-Intensität bei 515 nm, begleitet von GaN-Defektlumineszenz bei 390 nm - 450 nm, mikroskopisch mit morphologischen Defekten unmittelbar am First.

100% | Mobile Layout | Deutsche Version | Contact/Imprint/Privacy
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 2009 > Dresden