Bonn 2010 – scientific programme

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T: Fachverband Teilchenphysik

T 60: Halbleiterdetektoren III

T 60.5: Talk

Wednesday, March 17, 2010, 15:00–15:15, HG V

Detaillierte Simulation des Verhaltens der CMS Si-Streifen-Sensoren — •Jörn Schwandt, Doris Eckstein, Robert Klanner und Georg Steinbrück — Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg

Durch das geplante Luminositätsupgrade des LHC zum SLHC wird es zu einer deutlichen Zunahme der Strahlenbelastung in den Spurdetektoren kommen. Als Folge davon ist die Entwicklung neuer strahlenharter Silizium-Spurdetektoren erforderlich.

Um die für die Anwendung wichtigen Eigenschaften eines Sensors, wie z.B. das zeitliche und räumliche Auflösungsvermögen, die Effizienzen und das Signal-zu-Rausch-Verhälnis zu verstehen und vorherzusagen, werden neben Teststrahlmessungen Simulationen, die die Ladungsträgergenerierung, Landungssammlung, Pulsform und Ausleseelektronik umfassen, eingesetzt.

In diesem Vortrag stellen wir eine solche Simulation vor und vergleichen die Ergebnisse mit Teststrahlmessungen, die an CMS Si-Streifen-Sensoren durchgeführt wurden.