Hannover 2010 – wissenschaftliches Programm

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K: Fachverband Kurzzeitphysik

K 3: EUV - Quellen und deren Anwendungen

K 3.3: Vortrag

Mittwoch, 10. März 2010, 14:45–15:00, F 442

Der Laser induzierte Vakuumfunken als Quelle für die Extrem Ultraviolett Lithographie — •Klaus Bergmann — Fraunhofer Institut für Lasertechnik, Aachen

Gasentladungsquellen auf Basis eines Zinn Vakuumfunkens für Strahlung um 13.5 nm gelten als aussichtsreiche Kandidaten als Strahlquellen für die Extrem Ultraviolett (EUV) Lithografie. Solche Quellen sind heute in den alpha-Demotools von ASML im Einsatz, in denen im 24 Stunden Betrieb komplette Wafer zur Weiterentwicklung der Technologie belichtet werden. Im Vortrag wird auf das Prinzip dieser Quellen, das Entwicklungspotenzial und den aktuellen Stand der Technik der Quellen für die nächste Generation von Belichtungsanlagen eingegangen. Gesichtpunkte sind dabei unter anderem die erzielbare mittlere EUV-Leistung, die Standzeit der Quellenkomponenten sowie des Kollektors, über den das Licht der Quelle in das optische System des Scanners eingekoppelt wird.