Parts | Days | Selection | Search | Updates | Downloads | Help

T: Fachverband Teilchenphysik

T 66: Halbleiterdetektoren VI

T 66.3: Talk

Friday, April 1, 2011, 14:30–14:45, 30.22: 022

Verständnis von Dotierungsprofilen und Defektkonzentrationen im Zusammenspiel von IV/CV-, TCT-, DLTS- und TSC-Messungen — •Joachim Erfle, Doris Eckstein, Alexandra Junkes, Thomas Poehlsen, Christian Scharf und Georg Steinbrück — Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg

Um ein genaues Verständnis der Strahlenschäden von Siliziumdetektoren in einem Umfeld hoher Strahlung, wie es beim SHLC auftreten wird, zu erlangen, ist es hilfreich schon vor der Bestrahlung von Testdioden das genaue Dotierungsprofil sowie die Verteilung von Defekten aus dem Herstellungsprozess zu kennen. Hier soll nun an einigen Beispielen gezeigt werden, wie durch das Zusammenspiel von Kapazitäts- bzw. Strommessung über der Spannung, der Transient Current Technique, der Deep-Level-Transient-Spectroscopy sowie der Thermally-Stimulated-Current- Spectroscopy ein gutes Verständnis möglich ist.