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T: Fachverband Teilchenphysik
T 64: Halbleiterdetektoren: Forschung und Entwicklung 4
T 64.3: Talk
Wednesday, March 6, 2013, 17:15–17:30, GER-007
Messung von SiPM-Betriebsparametern bei verschiedenen Temperaturen und ihre Simulation in GEANT4 — •Andreas Künsken1, Carsten Heidemann2, Thomas Hebbeker2, Markus Merschmeyer2, Simon Nieswand2 und Tim Niggemann2 — 1III. Physikalisches Institut B, RWTH Aachen, D-52056 Aachen — 2III. Physikalisches Institut A, RWTH Aachen, D-52056 Aachen
Für den Betrieb von Silizium-Photomultipliern (SiPMs) ist die Kenntnis der SiPM-Eigenschaften bei verschiedenen Temperaturen notwendig. Um diese zu messen, wurde mithilfe von Peltierelementen ein Kühlsystem für Silizium-Photomultiplier entworfen und in Betrieb genommen. Die thermische Rauschrate und die Dunkelrauschrate sowie die crosstalk- und afterpulse-Wahrscheinlichkeit verschiedener SiPM-Typen werden bei Temperaturen von 20°C, 15°C und 10°C analysiert. Die gemessenen Parameter werden zur Verbesserung spezieller SiPM- Simulationen in GEANT4 verwendet.