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T: Fachverband Teilchenphysik

T 65: Halbleiterdetektoren: Forschung und Entwicklung 5

T 65.7: Talk

Thursday, March 7, 2013, 18:15–18:30, GER-007

Entwicklung des AGIPD Sensors für den European XFEL — •Jörn Schwandt, Eckhart Fretwurst, Robert Klanner und Jiaguo Zhang — Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg

Im Rahmen des Adaptive Gain Integrating Pixel Detector (AGIPD) Projekts ist ein Silizium-Pixelsensor, der folgende Anforderungen erfüllt, zu entwerfen: 0, 1 und mehr als 10⁴ 12 keV Photonen pro Pixel und XFEL-Puls von < 100 fs Dauer und eine Dosis von 1 GGy 12 keV Photonen für 3 Jahre Betrieb. Der Sensor soll aus 128 × 512 Pixel von 200 × 200 µm² Größe bestehen und eine Dicke von 500 µm haben. Eine Durchbruchspannung von etwa 1000 V soll erreicht werden.

Zur Optimierung des Sensors (p⁺ Pixel auf n-Silizium) wurden TCAD Simulationen, die die Strahlenschäden durch die Röntgenstrahlung berücksichtigen, durchgeführt. Die Optimierungsstrategie in Hinblick auf Spannungsfestigkeit, Dunkelstrom und Inter-Pixel-Kapazität wird vorgestellt und erste Vergleiche von Messungen mit Simulationen werden präsentiert.