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Aachen 2019 – scientific programme

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T: Fachverband Teilchenphysik

T 2: Halbleiterdetektoren I

T 2.5: Talk

Monday, March 25, 2019, 17:00–17:15, H02

Studie zur Strahlenhärte von n-in-p Siliziumstreifensensoren ohne spezifische ZwischenstreifenisolationsstrukturThomas Müller, Alexander Dierlamm, Marius Metzler, •Jan-Ole Gosewisch, Hans-Jürgen Simonis, Pia Steck und Felix Bögelspacher — Institut für Experimentelle Teilchenphysik, Karlsruher Institut für Technologie

Der Gebrauch von n-in-p Siliziumstreifensensoren erfordert eine spezifische Zwischenstreifenisolation. Ohne diese kommt es insbesondere nach Bestrahlung durch Oberflächenschäden zu einem Kurzschluss der Streifen und einer Verringerung der Ortsauflösung. Ein Maß für die Güte der Isolation ist der Zwischenstreifenwiderstand. Entgegen den Erwartungen, wurde bei Sensoren ohne spezifische Isolation ein ausreichend hoher Widerstand zwischen den Streifen nach Protonenbestrahlung mit einer Fluenz von 1015neq/cm2 beobachtet. Für ein genaueres Verständnis der beitragenden Effekte auf die Streifenisolation, wurden Sensoren ohne Zwischenstreifenimplantat mit Röntgenstrahlen, Protonen und Neutronen bestrahlt. In diesem Vortrag werden Messungen der Zwischenstreifenwiderstände für unterschiedlichen Bestrahlungszusammensetzungen gezeigt und bewertet.

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