Bonn 2020 – scientific programme

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T: Fachverband Teilchenphysik

T 72: Semiconductor detectors

T 72.4: Talk

Thursday, April 2, 2020, 17:15–17:30, H-HS IX

NitroStrip: Stickstoff angereichertes Silizium für Teilchendetektoren — •Jan Cedric Hönig, Leena Diehl, Franzsika Moos, Riccardo Mori, Ulrich Parzefall und Liv Wiik-Fuchs — Albert-Ludwigs-Universität Freiburg

Ein Ansatz die Strahlenhärte von Silizium zu verbessern ist das gezielte einbringen von Fremdatomen. Im Rahmen des NitroStrip Projekts wurde die Strahlenhärte von mit Stickstoff angereicherten Streifensensoren untersucht. Es wurde erwartet, dass eine Vielzahl von Defekten, vor allem Leerstellen, mit geringerer Konzentration auftreten. Zu diesem Zweck standen Vergleichsgruppen unterschiedlicher Silizium Sensoren, mit identischer Architektur aber unterschiedlichem Grundmaterial zur Verfügung. In diesem Vortrag wird das Nitrostrip Projekt der RD50 Kollaboration vorgestellt, welches kurz vor seinem Abschluss steht. Es werden Ergebnisse aus dem Projekt gezeigt und diskutiert. Besonderer Fokus wird auf Messungen mit der ``edge transient current technique'' gelegt.