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K: Kurzzeitphysik

K 9: Hochleistungs-/Impulssysteme, schnell veränderliche Plasmen

K 9.1: Vortrag

Donnerstag, 6. März 1997, 14:00–14:15, RW 2

Laserproduzierte Plasmen als schmalbandige Röntenquellen für die XPS-Oberflächenanalyse — •G. Schriever¹, S. Mager², A. Naweed², K. Bergmann¹, O. Treichel², A. Engel¹, K. Gäbel¹, W. Neff² und R. Lebert¹ — ¹RWTH Aachen, Lehrstuhl für Lasertechnik, Steinbachstr.15, 52074 Aachen — ²Fh-ILT, Steinbachstr. 15, 52074 Aachen

Bei der Time-of-Flight X-ray Photoelektronen Spektroskopie (TOF-XPS) werden durch gepulste Röntgenstrahlung Photoelektronen aus der Oberfläche einer Probe ausgelöst und in einem Flugzeitspektrum analysiert. Spektrale Verteilung der Röntgenstrahlung und Emissionszeit der Röntgenquelle gehen in das Auflösungvermögen des Flugzeitspektrums ein, weshalb für eine hohe Zeitauflösung eine monochromatische, schmalbandige Kurzpuls-Quelle hoher Luminanz benötigt wird. Laserproduzierte Plasmen mit leichten Targetelementen emittieren schmalbandige Linienstrahlung, deren Wellenlänge durch Wahl des Targetmaterials an die fokussierende Röntgenoptik angepasst werden kann. Die Linienbreite der emittierten Strahlung wird mit einem Spektrographen, die absolute Photonenemission in Abhängigkeit der Laserintensität mit einer kalibrierten CCD-Kamera gemessen. Die Quellengröße wird mit einer Zonenplattenabbildung bestimmt. Die Charakterisierung eines laserproduzierten Lithium-Plasmas läßt erwarten, daß dieses als Röntgenquelle für ein XPS-Mikroskop mit 10 µm lateraler und 100 meV spektraler Auflösung geeignet ist.