Mainz 1997 – wissenschaftliches Programm
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P: Plasmaphysik
P 14: Postersitzung II
P 14.5: Poster
Dienstag, 4. März 1997, 18:00–20:00, Foyer
Bestimmung der effektiven Lebensdauer von Xenonresonanzphotonen in He-Xe-Gemischen — •H. Lange und H. Schmidt — Institut für Niedertemperatur-Plasmaphysik, Robert-Blum-Str. 8–10, D-17489 Greifswald
Die abgestrahlte Leistung der 147 nm-Xenon-Resonanzlinie wird wesentlich durch die effektive Strahlungslebensdauer der Resonanzphotonen im Entladungsgefäß beeinflußt. Es werden Messungen von Strahlungslebensdauern in der positiven Säule von He-Xe-Entladungen vorgestellt. Ausgehend von dem metastabilen (1s5) Niveau erfolgt mittels Nd-YAG gepumpter Dye-Laserbestrahlung bei 823 nm eine kurzzeitige Dichteerhöhung der angeregten Atome im untersten Resonanzzustand. Erfolgt das Abklingen dieser angeregten Atome überwiegend durch die Emission von 147 nm-Resonanzstrahlung, kann man direkt die effektive Strahlungslebensdauer der Xenonresonanzphotonen in Entladungsgefäß bestimmen. Bevor ein Resonanzphoton das Entladungsgefäß verläßt, durchläuft es zahlreiche Zyklen von Absorption durch Xenon-Grundzustandsatome mit anschließender Reemission. Ein Puffergas wie Helium in einem Zwei-Komponenten-Gemisch absorbiert keine Xenonresonanzphotonen. Es kann gezeigt werden, daß die effektiven Strahlungslebensdauern im He-Xe-Gemisch kürzer gegenüber denen in reinen Xenonentladungen sind. Dies wird auf eine Modifikation des spektralen Emissions- bzw. Absorptionsprofils der Resonanzstrahlung durch Stöße zwischen angeregten Xe-Atomen und Helium bzw. Xenon und Helium zurückgeführt.