Mainz 1997 – wissenschaftliches Programm

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Q: Quantenoptik

Q 34: Halbleiterlaser

Q 34.3: Vortrag

Mittwoch, 5. März 1997, 16:30–16:45, N 6

Bestimmung von Defektverteilungen in Diodenlasern mittels eines optischen Nahfeldmikroskops. — •A. Richter, Ch. Lienau und J. W. Tomm — Max-Born-Institut für Nichtlineare Optik und Kurzzeitspektroskopie, D-12489 Berlin

Ein optisches Nahfeldmikroskop wird benutzt, um kommerziell erhältliche neue und speziellen Alterungsprozessen unterworfene Halbleiterlaserdiodenarrays auf AlGaAs- und InAlGaAs-Basis zu untersuchen [1,2]. Die Messungen erfolgten bei optischer Anregung d urch die Apertur der Faserspitze des Nahfeldmikroskops, während das Meßsignal über die Stromzuführungskontakte der Laserdiode abgegriffen. Selektive Anregung mittels durchstimmbarer Laser einerseits und zeitaufgelöste Messungen andererseits ermögli chen sowohl den Nachweis der räumlichen Bildung von Störstellenbanden mit einem räumlichen Auflösungsvermögen von etwa 200 nm als auch den Nachweis von Gebieten mit erhöhter Oberflächenrekombination bei gealterten Bauelementen. Die mikroskopischen Mechanismen der Defektbildung werden diskutiert. Diese neue Methodik erlaubt die zerstörungsfreie mikroskopische Charakterisierung von Alterungsprozessen in Laserdioden.

[1] A. Richter, J. W. Tomm, Ch. Lienau, J. Luft, Appl. Phys. Lett., 1996, in press.

[2] Ch. Lienau, A. Richter, J. W. Tomm, Appl. Phys. A, 1996, in press.