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T: Teilchenphysik

T 107: Vertexdetektoren

T 107.5: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 17:45–18:00, 224

Untersuchung des Verhaltens von Si-Detektoren nach Klebung auf der Hochfeldseite — •B. Moshous — Max-Planck-Institut f"ur Physik, Werner-Heisenberg-Institut, F"ohringer Ring 6, 80805 M"unchen

In den n"achsten Jahren soll mit dem HERA–B Experiment die CP-Verletzung im B-System untersucht werden. Um eine gute Vertexrekonstruktion von J/Ψ Zerf"allen zu gew"ahrleisten, kommt ein Siliziumdetektor zum Einsatz. Da Teilchenfl"usse von bis zu 3× 10⁷/sec/cm² erwartet werden, wird der Siliziumdetektor w"ahrend des Betriebs in Typinversion gehen. Man hat sich deshalb entschlossen die Detektoren auf der p-Seite auf den ben"otigten Tr"ager zu kleben, um Probleme auf der Hochfeldseite vor dem Einbau erkennen zu k"onnen. Es stellt sich heraus, da"s die Wahl des Klebstoffes eine entscheidene Rolle f"ur die Funktionsf"ahigkeit des Detektors spielt.