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16:00 |
T 306.1 |
Gruppenbericht:
GaAs Teilchendetektoren - Neue Entwicklungen — •O. Syben, D. Albertz, W. Braunschweig, J. Breibach, D. Gräßel, W. Karpinski, R. Krais, Th. Kubicki, K. Lübelsmeyer, C. Rente, R. Siedling, F. Tenbusch, M. Toporowski und W.J. Xiao
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16:25 |
T 306.2 |
Vergleich der Strahlungsschäden von Protonen und Pionen in GaAs Schottky-Dioden für den Einsatz als Halbleiterdetektor am LHC — •N. Duda, M. Rogalla, R. Geppert, R. Göppert, M. Hornung, R. Irsigler, J. Ludwig, K. Runge, Th. Schmid, M. Webel und C. Weber
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16:40 |
T 306.3 |
Untersuchung der elektronischen Eigenschaften und der Strahlenh"arte von Komponenten f"ur eine Pixelauslese-Elektronik in GaAs CHFET und SOI (Silicon on Isolator) Technologie — •J. Breibach, D. Albertz, W. Braunschweig, D. Gräßel, W. Karpinski, R. Krais, Th. Kubicki, K. Lübelsmeyer, C. Rente, G. Pierschel, R. Siedling, O. Syben, F. Tenbusch, M. Toporowski, and W.J. Xiao
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16:55 |
T 306.4 |
Einfluß des spezifischen Widerstands von SI-GaAs auf die Strahlungshärte von Schottky-Dioden für den Einsatz als Halbleiterdetektor am LHC — •M. Rogalla, R. Geppert, R. Göppert, M. Hornung, R. Irsigler, J. Ludwig, K. Runge, Th. Schmid, M. Webel und C. Weber
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17:10 |
T 306.5 |
Untersuchung der Strahlensch"aden von GaAs Teilchendetektoren mit Protonen und Pionen bis 6 × 1014 cm−2 — •W. J. Xiao, D. Albertz, W. Braunschweig, J. Breibach, D. Gr"assel, W. Karpinski, R. Krais, Th. Kubicki, K. L"ubelsmeyer, C. Rente, O. Syben, F. Tenbusch, and M. Toporowsky
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17:25 |
T 306.6 |
Messungen mit ortsauflösenden GaAs Detektoren — •Th. Schmid, I. Fleuchaus, R. Geppert, R. Göppert, M. Hornung, R. Irsigler, J. Ludwig, M. Rogalla, K. Runge, M. Webel und C. Weber
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17:40 |
T 306.7 |
Simulation des Stromverhaltens und der Ladungssammlung in GaAs-Detektoren — •R. Krais, D. Albertz, W. Braunschweig, D. Gräßel, Th. Kubicki, K. Lübelsmeyer, C. Rente, O. Syben, F. Tenbusch, M. Toporowski und W.J. Xiao
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