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T: Teilchenphysik

T 406: Halbleiterdetektoren IV

T 406.1: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 14:00–14:15, 223

Eigenschaften komplett prozessierter Streifendetektoren in GaAs Technologie einschließlich integrierter Biasing-Strukturen und Auslese-Koppelkapazitäten — •C. Rente, D. Albertz, W. Braunschweig, J. Breibach, D. Gräßel, W. Karpinski, R. Krais, Th. Kubicki, K. Lübelsmeyer, R. Siedling, O. Syben, F. Tenbusch, M. Toporowski und W.J. Xiao — I. Physikalisches Institut, RWTH Aachen, Sommerfeldstr.14, 52074 Aachen

Für den Einsatz in hochauflösenden Spurdetektoren für das CMS Experiment am LHC werden Detektoren auf der Basis von SI-GaAs diskutiert. Der Wunsch nach möglichst geringem Platzbedarf und geringem Rauschen erfordert für diese Detektoren eine integrierte Biasingstruktur, sowie die Integration der Koppelkondensatoren für die Auslese. Wir haben eine Technologie hierfür entwickelt und auch ihre Strahlenhärte untersucht. Es werden Messungen an Prototypen von Mikrostreifendetektoren hinsichtlich der Strom-Spannungs-Kennlinien, der Ladungssammlung, sowie der Spannungsfestigkeit der Kondensatoren vorgestellt.