München 1997 – wissenschaftliches Programm
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T: Teilchenphysik
T 406: Halbleiterdetektoren IV
T 406.2: Vortrag
Donnerstag, 20. März 1997, 14:15–14:30, 223
Messungen an integrieretn GaAs Streifendetektoren — •D. Albertz, W. Braunschweig, J. Breibach, D. Gräßel, W. Karpinski, R. Krais, Th. Kubicki, K. Lübelsmeyer, C. Rente, R. Siedling, O. Syben, F. Tenbusch, M. Toporowski und W.J. Xiao — I. Physikalisches Institut, RWTH Aachen, Sommerfeldstr.14, 52074 Aachen
An Mikrostreifendetektoren aus GaAs (Dicke 250µ m, Streifenraster 50µ m, Streifenbreite 25µ m) mit integrierter Biasstruktur (punch-through) und Koppelkapazitäten wurden Messungen zu Ladungsausbeute, Signal-Rausch-Verhältnis und Ortsauflösung durchgeführt. Hierzu wurden 90Sr Elektronen, kosmische Müonen und ein hochenergetischer Elektronenstrahl verwendet. Ein Teleskop mit 8 Si-Streifendetektoren diente zur Bestimmung der Ortsauflösung. Die Auslese der GaAs Detektoren, wie auch der 8 Si-Detektoren erfolgte mit den in der CMS Kollaboration entwickelten PreMux128-Chips.