München 1997 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

T: Teilchenphysik

T 706: Halbleiterdetektoren V

T 706.1: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 09:45–10:00, 223

Halbleiterdetektoren aus semiisolierendem SiC — •R. Irsigler, R. Geppert, M. Göppert, J. Ludwig, M. Rogalla, K. Runge, Th. Schmid, A. Söldner-Rembold, M. Webel und C. Weber — Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, Fakultät für Physik,
Hermann-Herder-Straße 3, 79104 Freiburg

Der indirekte Halbleiter SiC gewinnt zunehmend an Bedeutung für die Herstellung von Bauelementen, die bei hoher Temperatur, hoher Leistung und bei hoher Frequenz betrieben werden. Die hervorragende Eignung begründet sich vor allem durch den großen Bandabstand (3,27 eV bei 4H-SiC), die hohe Durchbruchfeldstärke (4*10⁶ V/cm), der hohen Sättigungsdriftgeschwindigkeit (2*10⁷ cm/s) und der hohen thermischen Leitfähigkeit (4,9 W/cmK) dieses Materials. Die hohe Si-C Bindungsenergie ( ca. 5 eV) macht dieses Material mechanisch sehr stabil, nahezu chemisch unangreifbar und resistent gegenüber ionisierender Strahlung. Jüngste Erfolge bei der Züchtung von hochohmigem Substratmaterial lassen auf ein gutes Detektorverhalten hoffen. Erste Messungen mit semiisolierenden SiC-Detektoren werden vorgestellt.