München 1997 – wissenschaftliches Programm

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T: Teilchenphysik

T 706: Halbleiterdetektoren V

T 706.3: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 10:15–10:30, 223

Untersuchung tiefer Störstellen in Siliziumdetektoren mittels laserinduzierter TCT - Messungen — •Uwe Bokelbrink, H. Feick, E. Fretwurst, G. Lindström und M. Moll — Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg, Luruper Chaussee 149, D-22761Hamburg

Das TCT - Verfahren (Transient Current Technique) beinhaltet die Aufzeichnung von Stromimpulsen mit einer Zeitauflösung von ca. 1ns, die durch Beleuchtung eines Siliziumdetektors mit kurzen Laserlichtpulsen der Wellenla"nge von 830 nm induziert werden. Aus Messungen der Stromimpulse in Abhängigkeit von der Probentemperatur (80 K - 300 K), der Pulsfrequenz des Lasers und der Beleuchtungsdauer wurden die charakteristischen Parameter strahlungsinduzierter Störstellen (Ionisierungsenergie, Einfangwirkungsquerschnitt, Konzentration) extrahiert. Durch den Einsatz eines zweiten Lasers besteht die Möglichkeit , den Einfangprozeß von Elektronen (Löchern) in besetzte Löchertraps (Elektronentraps) im Verarmungsgebiet zu studieren. Die experimentellen Resultate werden vorgestellt und mit Ergebnissen aus TSC-Messungen (Thermally Stimulated Current) verglichen.