München 1997 – wissenschaftliches Programm

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T: Teilchenphysik

T 706: Halbleiterdetektoren V

T 706.4: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 10:30–10:45, 223

IR-Spektroskopie und TDCM-Messungen an Protonen und Pionen bestrahltem GaAs — •M. Battke, M. Rogalla, R. Geppert, R. Göppert, M. Hornung, R. Irsigler, J. Ludwig, K. Runge, Th. Schmid, M. Webel und C. Weber — Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, Fakultät für Physik, Hermann-Herder-Straße 3, 79104 Freiburg

Mittels IR-Spektroskopie konnte eine Zunahme der EL2-Defektkonzentration, welche die Lebensdauer von Elektronen in GaAs bestimmt, bei Bestrahlung mit Protonen und Pionen nachgewiesen werden. Auch wurde der Einfluß der Bestrahlung auf den spezifischen Widerstand mit TDCM-Messungen untersucht.