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AM: Magnetismus

AM 12: Weichmagnetische Werkstoffe

AM 12.2: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 17:15–17:30, F5

Spannungsinduzierte Anisotropie in nanokristallinen weichmagnetischen Fe_73.5Cu₁Nb₃Si_13.5B₉ Schichten — •A. Neuweiler und H. Kronmüller — Max-Planck-Institut für Metallforschung, Heisenbergstr. 1, 70569 Stuttgart

Mit Hilfe der Ionenstrahlsputtertechnik wurden amorphe FeCuNbSiB- Schichten hergestellt. Die Schichtdicken liegen dabei zwischen 6 nm und 1 µm. Durch Anlassen der Schichten ist es möglich, die beim Herstellungsprozeß entstandenen Spannungen zu relaxieren bzw. die Schichten in den nanokristallinen Zustand überzuführen. Die Kristallisationstemperatur liegt mit ca. 690 K deutlich niedriger als in FeCuNbSiB-Bändern (ca. 770 K).
Durch die Verwendung von Saphirsubstraten, die in zwei zueinander senkrechten Richtungen verschiedene thermische Ausdehnungskoeffizienten besitzen, werden in den Schichten beim Abkühlungsprozeß nach dem Anlassen Spannungen erzeugt, die eine uniaxiale Anisotropie induzieren. Aus Magnetisierungskurven werden weichmagnetische Kenngrößen wie Koerzitivfeldstärke und Anfangssuszeptibilität in Abhängigkeit von der Schichtdicke, der Anlaßtemperatur und dem Winkel zwischen der leichten magnetischen Richtung und dem angelegten Magnetfeld ermittelt. Die Koerzitivfeldstärke variiert dabei von ca. 1500 A/m in unrelaxierten amorphen Proben bis 1.5 A/m in relaxierten amorphen Schichten.