Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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DF: Dielektrische Festkörper

DF 10: Elektrische und optische Eigenschaften III

DF 10.4: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 12:00–12:20, R2

Ablation und Fluoreszenz in LaF₃:Ce bei Anregung mit 248nm Laserlicht — •R. Lindner, J. Sils, S. Petzoldt, M. Reichling und E. Matthias — Fachbereich Physik, Freie Universität Berlin

Cer dotiertes LaF₃ zeichnet sich durch ein mit einem Elektron besetztes 4f-Energieniveau des Ce aus, das in der Mitte zwischen dem 2p-Valenzband von LaF₃ und dem untersten 5d-Niveau von Ce liegt (10eV Energieabstand). Mit einem KrF-Excimer-Laser, dessen Photonenenergie 5eV beträgt, laßen sich also 4f-Elektronen in das unbesetzte 5d-Niveau anregen. Wegen des definierten 4f-Zustandes ist LaF₃:Ce als Vergleichsmaterial für Untersuchungen des Zerstörverhaltens von CaF₂ interessant, wo extrinsische Verunreinigungszustände in der Bandlücke auftreten. Wir bestimmten mit Hilfe des photoakustischen Mirage-Effekts die Zerstörschwelle von LaF₃:Ce für zwei verschiedene Ce-Konzentrationen (0,03% und 1%) und ermittelten trotz starker Absorption erstaunlich hohe Werte von über 10J/cm². Die Resultate werden durch die starke Fluoreszenz von LaF₃:Ce erklärt, welche mit einem optischen Vielkanalanalysator zeitaufgelöst vermessen wurde.