Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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DF: Dielektrische Festkörper
DF 12: Kristalline Materialien
DF 12.1: Vortrag
Donnerstag, 20. März 1997, 15:30–15:50, R2
Stimulierte Defekt-Diffusion in CaF2 — •M. Reichling — Fachbereich Physik, Freie Universität Berlin
Bei Experimenten zur elektronenstimulierten Metallisierung und Desorption von CaF2 wird während der Bestrahlung eine Beweglichkeit von Defekten beobachtet, die nach Abschalten der Elektronenanregung verschwindet. Diese elektronenstimulierte Diffusion ermöglicht es, eine diffusive Oberflächenmetallisierung bei Temperaturen zu erzielen, bei denen thermische Diffusion vernachlässigbar klein ist. Die stimulierte Diffusion wird erklärt durch die Loch-Anregung von H-Zentren durch niederenergetische Sekundärelektronen während der Elektronenbestrahlung, welche eine effektive F-H-Zentren-Separation ermöglicht. Der Transport von Fluor zur Oberfläche erfolgt dann über I- und Vk-Zentren. Der Mechanismus dieser Diffusion wird diskutiert, und es wird gezeigt, daß er sich wesentlich von rein thermischer Diffusion unterscheidet, die bei hinreichend hohen Temperaturen nach der Bestrahlung auftritt.