Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Epitaxie

HL 10.10: Talk

Monday, March 17, 1997, 17:45–18:00, H4

Ellipsometrie- und RAS-Messungen mit Paralleldetektoren in der MOVPE — •K. Haberland, D. Fischer, K. Knorr, M. Zorn, T. Trepk, J.-T. Zettler und W. Richter — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin

Um den Anforderungen einer schnellen in-situ-Charakterisierung von Halbleiter- Oberflächen in MOVPE-Reaktoren nachzukommen, besteht der dringende Bedarf an Ellipsometrie- und Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie-(RAS)-Systemen hoher Zeitauflösung. Ziel ist es dabei, den Wachstumsprozess zu überwachen und anhand der Meßdaten steuern zu können. Notwendige Voraussetzung ist dabei, die Messdauer für Spektren bis in den Sekundenbereich zu reduzieren, um schnelle Oberflächenprozesse erfassen zu können. Wir stellen den Ellipsometrie-Aufbau mit einer Kombination aus Spektrograph und Mehrkanal-Paralleldetektor, zwei verschiedene Meßverfahren, und Ergebnisse der ex-situ- und in-situ-Messungen vor. Um auch mit RAS Spektren im Sekundenbereich zu erhalten, werden zwei Dioden-Arrays in einem Strahlteiler-Aufbau parallel betrieben. Als Beispiel werden vorgestellt: Oxid-Desorp-tionen an III-V Halbleitern und das Wachstum von InAs-Quanten-Dots auf GaAs.