Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

	Mo, 09:30–10:15	H1	HL I: HV I
	Mo, 14:30–15:15	H1	HL II: HV II
	Di, 09:30–10:15	H1	HL III: HV III
	Di, 14:30–15:15	H1	HL IV: HV IV
	Di, 15:15–16:00	H1	HL V: HV V
	Mi, 14:30–15:00	H2	HL VI: HV VI
	Mi, 15:00–15:30	H2	HL VII: HV VII
	Mi, 15:30–16:00	H2	HL VIII: HV VIII
	Mi, 16:00–16:30	H2	HL IX: HV IX
	Mi, 16:30–17:00	H2	HL X: HV X
	Do, 09:30–10:15	H1	HL XI: HV XI
	Do, 14:30–15:15	H1	HL XII: HV XII
	Fr, 09:30–10:15	H1	HL XIII: HV XIII
	Fr, 10:15–11:00	H1	HL XIV: HV XIV
	Mo, 10:30–13:00	H1	HL 2: Störstellen I
	Mo, 10:30–13:00	H2	HL 3: Theorie I
	Mo, 10:30–13:00	H3	HL 4: Diamant
	Mo, 10:30–12:45	H4	HL 5: Raman/Nichtlineare Optik
	Mo, 15:30–18:00	H1	HL 7: Störstellen II
	Mo, 15:30–19:30	H2	HL 8: Theorie II
	Mo, 15:30–19:30	H3	HL 9: SiC
	Mo, 15:30–19:30	H4	HL 10: Epitaxie
	Mo, 15:30–18:30	Z	HL 11: Poster I
	Di, 10:30–12:30	H1	HL 13: Heterostrukturen
	Di, 10:30–12:30	H2	HL 14: Si/Ge I
	Di, 10:30–12:30	H3	HL 15: STM
	Di, 10:30–12:30	H4	HL 16: Ultrakurzzeitdynamik
	Di, 16:00–19:30	H1	HL 18: II/VI-Halbleiter
	Di, 16:00–19:00	H2	HL 19: Si/Ge II
	Di, 16:00–19:30	H3	HL 20: HL-Laser
	Di, 16:00–19:15	H4	HL 21: Amorphe Halbleiter
	Di, 15:30–18:30	Z	HL 22: Poster II
	Do, 10:15–12:15	H1	HL 25: GaN I
	Do, 10:15–12:15	H2	HL 26: Grenzflächen/Oberflächen
	Do, 10:15–12:15	H3	HL 27: Quantendots I
	Do, 10:30–12:30	H4	HL 28: Gitterdynamik
	Do, 15:30–19:30	H1	HL 30: GaN II
	Do, 15:30–19:30	H4	HL 31: Transport in Halbleitern
	Do, 15:30–19:30	H2	HL 32: Quantendots II
	Do, 15:30–19:45	H3	HL 33: Photovoltaik
	Fr, 11:00–13:15	H4	HL 36: Poröses Si
	Fr, 11:00–13:30	H3	HL 37: Devices (elektrisch)
	Fr, 11:00–13:30	H2	HL 38: Implantation
	Fr, 11:00–13:30	H1	HL 39: III/V
	Fr, 11:00–14:00	Z	HL 40: Poster III